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M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆低饱和压降，导通损耗小； ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多